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AEC-Q200试验条件

作者:江志宏

AEC-Q200的环境试验条件,主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的,不同零件的试验温度除了不一样之外,其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同,高温储存属于不施加偏压与负载,但是在高温工作寿命就需要,温度循环与温度冲击,其试验目的与手法不一样,在温度循环中高低温变化需控制温变率,温冲击则不用,偏高湿度就是俗称的高温高湿试验,而湿度抵抗就是湿冷冻试验

试验条件注意事项:1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测

高温储存(MIL-STD-202-108):[适用设备:
THS]
薄膜电容、网路低通滤波器、网路电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/1000h
电感、变压器、电阻:125℃/1000h
变阻器:150℃/1000h
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容:最大额定温度/1000h

高温工作寿命(MIL-STD-202-108):[适用设备:THS]   
网路低通滤波器、网路电阻:85℃/1000h
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/1000h/施加额定IL
钽电容、陶瓷电容:最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压
铝电解电容、电感、变压器:105℃/1000h
薄膜电容:1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压)
自恢复保险丝:125℃/1000h
电阻、热敏电阻、可变电容:125℃/1000h/额定电压
可变电阻:125℃/1000h/额定功率
变阻器:125℃/1000h/额定电压85%+ma电流
陶瓷共鸣器:85℃/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
石英震盪器:125℃/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

温度循环(JEDEC22A-104):[适用设备:TSCESS]  

薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻: -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

铝电解电容:-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

电感、变压器、变阻器、石英震盪器、自恢复保险丝:-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

网路低通滤波器、网路电阻:-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

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温度冲击(MIL-STD-202-107):[适用设备:TCATSK]

自恢复保险丝:-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles

偏高湿度(MIL-STD-202-103):[适用设备:THS]

钽电容、陶瓷电容:85℃/85%R.H./1000h/电压1.3~1.5V

电感&变压器:85℃/85%R.H./1000h/不通电

铝电解电容:85℃/85%R.H./1000h/额定电压 E

MI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85℃/85%R.H./1000h/额定电压&电流

电阻、热敏电阻:85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%

自恢复保险丝:85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%

可变电容、可变电阻:85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%

网路低通滤波器&网路电阻:85℃/85%R.H./1000h/电压[网路电容(额定电压)、网路电阻(10%额定功率)]

变阻器:85℃/85%R.H./1000h/额定电压85%+ma电流

石英震盪器、陶瓷共鸣器:85℃/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

薄膜电容:40℃/93%R.H./1000h/额定电压

湿度抵抗(MIL-STD-202-106):[适用设备:THS]

薄膜电容:(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h,每一cycle共24h,step7a&7b不通电

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