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AEC-Q200试验条件
 

文:江志宏

说明:AEC-Q200的环境试验条件,主要是依据MIL-STD-202JEDEC22A-104规范来制定的,不同零件的试验温度除了不一样之外,其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同,高温储存属于不施加偏压与负载,但是在高温工作寿命就需要,温度循环与温度冲击,其试验目的与手法不一样,在温度循环中高低温变化需控制温变率,温冲击则不用,偏高湿度就是俗称的高温高湿试验,而湿度抵抗就是湿冷冻试验

试验条件注意事项:
1000h试验过程需在250h500h进行间隔量测

高温储存(MIL-STD-202-108)[适用设备:
THS]
薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85/1000h
电感、变压器、电阻:125/1000h
变阻器:150/1000h
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容:最大额定温度
/1000h
 

高温工作寿命(MIL-STD-202-108)[适用设备:THS]   
网络低通滤波器、网络电阻:85/1000h
EMI
干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85/1000h/施加额定
IL
钽电容、陶瓷电容:最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压
铝电解电容、电感、变压器:
105/1000h
薄膜电容:1000h/(85/125%额定电压、105&125/100%额定电压)
自恢复保险丝:125/1000h
电阻、热敏电阻、可变电容:125/1000h/额定电压
可变电阻:125/1000h/额定功率
变阻器:125/1000h/额定电压85+ma电流
陶瓷共鸣器:
85
/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
石英震荡器:125/1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容

温度循环(JEDEC22A-104)[适用设备:TSRESS]  
薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器:-55(30min)←→85(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles
钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻: -55(30min)←→125
(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles
铝电解电容:-40(30min)←→105(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles
电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝:-40(30min)←→125(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles
网络低通滤波器、网络电阻:-55(30min)←→125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles

温度冲击(MIL-STD-202-107)[适用设备:TCTSK]
自恢复保险丝:
-40(15min)←→125(15min)/300cycles
偏高湿度(MIL-STD-202-103)[适用设备:THS]
钽电容、陶瓷电容:85/85%R.H./1000h/电压1.3
1.5V
电感&变压器:85/85%R.H./1000h/不通电
铝电解电容:85/85%R.H./1000h/额定电压
EMI
干扰抑制器、EMI干扰过滤器:85/85%R.H./1000h/额定电压&电流
电阻、热敏电阻:85/85%R.H./1000h/工作电源10%
自恢复保险丝:85/85%R.H./1000h/额定电流10%
可变电容、可变电阻:85/85%R.H./1000h/额定功率10%
网络低通滤波器&网络电阻:85/85%R.H./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率
)]
变阻器:85/85%R.H./1000h/额定电压85+ma电流
石英震荡器、陶瓷共鸣器:85/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ,并联逆变器,在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
薄膜电容:40/93%R.H./1000h/额定电压


湿度抵抗(MIL-STD-202-106)[适用设备:THS]
薄膜电容:(25℃←→65/90%R.H.*2cycle)/18h-10/3h,每一cycle24hstep7a&7b不通电

AEC-Q200专有名词整理:

简称

中文

英文

说明

8D

解决问题方法

 

 

AEC

汽车电子设备协会

Automotive Electronic Council

由车厂[克赖斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽车(GM)]发起并创立于1994年,目前会员遍及全球各大汽车厂、汽车电子与半导体厂商。

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零件平均测试指导原则

 

 

AEC-Q002

统计式良品率分析的指导原则

 

 

AEC-Q003

芯片产品的电性表现特性化的指导原则

 

 

AEC-Q005

无铅测试要求

 

 

AEC-Q100

基于集成电路应力测试认证的失效机理

 

规范了零件供货商所必须达成的产品质量与可靠度,试验条件多仍以JEDECMIL-STD为主,外加上其它独立建置的测试手法。

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AEC-Q200-004

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板弯曲度测试

 

 

AEC-Q200-006

表面贴装后的剪切强度测试

 

 

AEC-Q200-007

电涌测试

 

 

 

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Automotive Grade Qualification

 

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耐压

 

 

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百万缺陷数

defect per million

半导体组件的缺陷率

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破坏性的物理分析

 

 

EIA-198

陶瓷电介质电容器

 

 

EIA-535

钽电容

 

 

ESD

静电放电

 

 

EWS

电性晶圆测试

Eletrical Wafer Sort

 

FIT

故障时间

 

 

HRCF

高可靠性认证流程

High Reliability Certified Flow

 

IEC 10605

静电放电人体模式

 

 

ISO-26262

车辆机能安全

 

 

ISO-7637-1

道路车辆电子干扰

 

 

JEDEC-STD-002

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JEDEC-STD-121

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JEDEC-STD-201

锡和锡合金表面涂层的锡须环境验收要求

 

 

JEDEC22A-104

温度循环

 

 

MIL-PRF-27

电感/变压器的测试方法

 

 

MIL-STD-202

国防部标准电子及电气组件测试方法

 

 

NEMI

东京锡须会议

 

 

PPAT

参数零件平均测试

Parametric Part Average Testing

 

PPB

十亿分之一

Parts Per Billion

 

 

筛选方法

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统计性良率分析

Statistical yield analysis

 

 

应力测试

Stress Test

 

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